PJD1NA60_L2_00001

Número do Produto do Fabricante:

PJD1NA60_L2_00001

Product Overview

Fabricante:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PJD1NA60_L2_00001-DG

Descrição:

600 V N-CHANNEL MOSFET

Descrição Detalhada:

N-Channel 600 V 1A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventário:

RFQ Online

12971964

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

PJD1NA60_L2_00001 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

PANJIT

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

3.3 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

95 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

27W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-252

Pacote / Estojo

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número do produto base

PJD1NA60

Informação Adicional

Outros nomes

3757-PJD1NA60_L2_00001CT

3757-PJD1NA60_L2_00001TR

3757-PJD1NA60_L2_00001DKR

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

panjit

PJQ5410_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD19P06-60-BE3

MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK

panjit

PJQ2463A_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD100P03_L2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M