Número do Produto do Fabricante:
PJD18N20_L2_00001
Product Overview
Fabricante:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PJD18N20_L2_00001-DG
Descrição:
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
2737 Pcs Novo Original Em Estoque
12971035
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PJD18N20_L2_00001 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
PANJIT
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1017 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
PJD18N20
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3757-PJD18N20_L2_00001TR
3757-PJD18N20_L2_00001DKR
3757-PJD18N20_L2_00001CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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