Número do Produto do Fabricante:
NXH200T120H3Q2F2STG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NXH200T120H3Q2F2STG-DG
Descrição:
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Descrição Detalhada:
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 330 A 679 W Chassis Mount 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Inventário:
12979139
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NXH200T120H3Q2F2STG Especificações Técnicas
Categoria
IGBTs, Módulos IGBT
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tray
Série
-
Status do produto
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Configuração
Half Bridge
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
330 A
Potência - Máx.
679 W
vce (on) (max) @ vge, ic
2.3V @ 15V, 200A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500 µA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
35.615 nF @ 25 V
Entrada
Standard
Termistor NTC
No
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
56-PIM/Q2PACK (93x47)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-NXH200T120H3Q2F2STG
Pacote padrão
12
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NXH200T120H3Q2F2SG
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
36
NÚMERO DA PEÇA
NXH200T120H3Q2F2SG-DG
PREÇO UNITÁRIO
168.97
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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