Número do Produto do Fabricante:
NXH020F120MNF1PTG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NXH020F120MNF1PTG-DG
Descrição:
SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
Inventário:
13001169
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NXH020F120MNF1PTG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tray
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
4 N-Channel (Full Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 20mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
213.5nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2420pF @ 800V
Potência - Máx.
119W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
22-PIM (33.8x42.5)
Número do produto base
NXH020
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-NXH020F120MNF1PTG
Pacote padrão
28
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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