Número do Produto do Fabricante:
NXH010P120MNF1PTNG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NXH010P120MNF1PTNG-DG
Descrição:
SIC 2N-CH 1200V 114A
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
Inventário:
12973676
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ENVIAR
NXH010P120MNF1PTNG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tray
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 40mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
454nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4707pF @ 800V
Potência - Máx.
250W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Número do produto base
NXH010
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NXH010P120MNF1PTNG
Pacote padrão
28
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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