Número do Produto do Fabricante:
NVMYS4D1N06CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVMYS4D1N06CLTWG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12844581
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ENVIAR
NVMYS4D1N06CLTWG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK4 (5x6)
Pacote / Estojo
SOT-1023, 4-LFPAK
Número do produto base
NVMYS4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NVMYS4D1N06CLTWGDKR
488-NVMYS4D1N06CLTWGCT
NVMYS4D1N06CLTWG-DG
488-NVMYS4D1N06CLTWGTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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