Número do Produto do Fabricante:
NVMYS2D9N04CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVMYS2D9N04CLTWG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3.7W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12929018
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NVMYS2D9N04CLTWG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 60µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK4 (5x6)
Pacote / Estojo
SOT-1023, 4-LFPAK
Número do produto base
NVMYS2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NVMYS2D9N04CLTWGTR
488-NVMYS2D9N04CLTWGCT
488-NVMYS2D9N04CLTWGDKR
2156-NVMYS2D9N04CLTWG
NVMYS2D9N04CLTWG-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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