NVMYS025N06CLTWG
Número do Produto do Fabricante:

NVMYS025N06CLTWG

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVMYS025N06CLTWG-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventário:

5735 Pcs Novo Original Em Estoque
12844123
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NVMYS025N06CLTWG Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 13µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK4 (5x6)
Pacote / Estojo
SOT-1023, 4-LFPAK
Número do produto base
NVMYS025

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
NVMYS025N06CLTWGOS
NVMYS025N06CLTWGOSTR
NVMYS025N06CLTWGOSDKR
NVMYS025N06CLTWGOS-DG
NVMYS025N06CLTWGOSCT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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