NVMSD6N303R2G
Número do Produto do Fabricante:

NVMSD6N303R2G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVMSD6N303R2G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6A (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12845109
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NVMSD6N303R2G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950 pF @ 24 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
NVMSD6

Informação Adicional

Outros nomes
2156-NVMSD6N303R2G
ONSONSNVMSD6N303R2G
2156-NVMSD6N303R2G-ONTR-DG
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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