Número do Produto do Fabricante:
NVMFD5C650NLT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVMFD5C650NLT1G-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventário:
12843455
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NVMFD5C650NLT1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 98µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2546pF @ 25V
Potência - Máx.
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Número do produto base
NVMFD5
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NVMFD5C650NLT1GOSCT
NVMFD5C650NLT1G-DG
NVMFD5C650NLT1GOSTR
NVMFD5C650NLT1GOSDKR
2832-NVMFD5C650NLT1G
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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