Número do Produto do Fabricante:
NVHL080N120SC1A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVHL080N120SC1A-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
890 Pcs Novo Original Em Estoque
12938801
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NVHL080N120SC1A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
178W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
NVHL080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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