NVD6416ANLT4G-001
Número do Produto do Fabricante:

NVD6416ANLT4G-001

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVD6416ANLT4G-001-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK-3

Inventário:

12938615
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

NVD6416ANLT4G-001 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
NVD641

Informação Adicional

Outros nomes
2832-NVD6416ANLT4G-001-488
2832-NVD6416ANLT4G-001TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

2SJ187-TD-E

PCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

MTP1302

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

SSP2N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

SSP1N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET