Número do Produto do Fabricante:
NVD5C648NLT4G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVD5C648NLT4G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventário:
12857586
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NVD5C648NLT4G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 89A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
NVD5C648
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NVD5C648NLT4G-DG
488-NVD5C648NLT4GCT
488-NVD5C648NLT4GTR
488-NVD5C648NLT4GDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD90N06S4L05ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2415
NÚMERO DA PEÇA
IPD90N06S4L05ATMA2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.62
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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