Número do Produto do Fabricante:
NVBG160N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVBG160N120SC1-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 19.5A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventário:
785 Pcs Novo Original Em Estoque
12938251
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NVBG160N120SC1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
224mOhm @ 12A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33.8 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
678 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
NVBG160
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
488-NVBG160N120SC1DKR
488-NVBG160N120SC1CT
488-NVBG160N120SC1TR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NTBG160N120SC1
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
512
NÚMERO DA PEÇA
NTBG160N120SC1-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.23
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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