NVB5860NLT4G
Número do Produto do Fabricante:

NVB5860NLT4G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVB5860NLT4G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 220A (Ta) 283W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventário:

12859204
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NVB5860NLT4G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
220A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13216 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
283W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
NVB586

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2156-NVB5860NLT4G-ONTR
ONSONSNVB5860NLT4G
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FDB86566-F085
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
750
NÚMERO DA PEÇA
FDB86566-F085-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.76
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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