Número do Produto do Fabricante:
NVB190N65S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NVB190N65S3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12848144
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NVB190N65S3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperFET® III
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 430µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1605 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
162W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
NVB190
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NVB190N65S3F
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
752
NÚMERO DA PEÇA
NVB190N65S3F-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.75
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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