NTP13N10G
Número do Produto do Fabricante:

NTP13N10G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTP13N10G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Tc) Through Hole TO-220

Inventário:

12856607
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NTP13N10G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
64.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
NTP13N

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
NTP13N10GOS
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IRL530PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
10171
NÚMERO DA PEÇA
IRL530PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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