NTMYS1D2N04CLTWG
Número do Produto do Fabricante:

NTMYS1D2N04CLTWG

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTMYS1D2N04CLTWG-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventário:

12859893
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NTMYS1D2N04CLTWG Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
44A (Ta), 258A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 180µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6330 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK4 (5x6)
Pacote / Estojo
SOT-1023, 4-LFPAK
Número do produto base
NTMYS1

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
NTMYS1D2N04CLTWGOSCT
2832-NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWGOSTR
NTMYS1D2N04CLTWGOSDKR
NTMYS1D2N04CLTWG-DG
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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