Número do Produto do Fabricante:
NTMSD6N303R2SG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTMSD6N303R2SG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12848179
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NTMSD6N303R2SG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
FETKY™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950 pF @ 24 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
NTMSD6
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RSH065N03TB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
RSH065N03TB1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.31
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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