NTMS4700NR2G

Número do Produto do Fabricante:

NTMS4700NR2G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTMS4700NR2G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

RFQ Online

12857765

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

NTMS4700NR2G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

8.6A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1600 pF @ 24 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

860mW (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-SOIC

Pacote / Estojo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número do produto base

NTMS47

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

NTMS4700NR2G-DG

Informação Adicional

Outros nomes

NTMS4700NR2GOS

ONSONSNTMS4700NR2G

2156-NTMS4700NR2G

2156-NTMS4700NR2G-ONTR-DG

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

NDS9407_G

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

onsemi

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

onsemi

NTD5865NL-1G

MOSFET N-CH 60V 46A IPAK

onsemi

NTMFD4C50NT1G

MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL