Número do Produto do Fabricante:
NTMS4101PR2
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTMS4101PR2-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12857569
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NTMS4101PR2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3200 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.38W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
NTMS41
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
NTMS4101PR2OS
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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