Número do Produto do Fabricante:
NTMS10P02R2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTMS10P02R2G-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
2644 Pcs Novo Original Em Estoque
12857001
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NTMS10P02R2G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3640 pF @ 16 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
NTMS10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NTMS10P02R2GOSCT
2156-NTMS10P02R2G-OS
2832-NTMS10P02R2GTR
NTMS10P02R2GOS
NTMS10P02R2GOSDKR
NTMS10P02R2GOSTR
=NTMS10P02R2GOSCT-DG
NTMS10P02R2GOS-DG
ONSONSNTMS10P02R2G
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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