Número do Produto do Fabricante:
NTMFS5832NLT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTMFS5832NLT1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 20A (Ta), 111A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventário:
12859796
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NTMFS5832NLT1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 111A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN, 5 Leads
Número do produto base
NTMFS5832
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NTMFS5832NLT1G-DG
NTMFS5832NLT1GOSDKR
2156-NTMFS5832NLT1G-OS
ONSONSNTMFS5832NLT1G
NTMFS5832NLT1GOSTR
NTMFS5832NLT1GOSCT
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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