Número do Produto do Fabricante:
NTMD6601NR2G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTMD6601NR2G-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12858254
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NTMD6601NR2G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400pF @ 25V
Potência - Máx.
600mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
NTMD66
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSNTMD6601NR2G
2156-NTMD6601NR2G-ONTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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