NTMD2P01R2G
Número do Produto do Fabricante:

NTMD2P01R2G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTMD2P01R2G-DG

Descrição:

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12856505
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NTMD2P01R2G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
16V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750pF @ 16V
Potência - Máx.
710mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
NTMD2P

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
NTMD2P01R2GOS
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
NTMD6P02R2G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3322
NÚMERO DA PEÇA
NTMD6P02R2G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.43
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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