Número do Produto do Fabricante:
NTHD2102PT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTHD2102PT1G-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventário:
12841087
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NTHD2102PT1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 2.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
715pF @ 6.4V
Potência - Máx.
1.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
ChipFET™
Número do produto base
NTHD21
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NTHD2102PT1GOSTR
NTHD2102PT1GOS
=NTHD2102PT1GOSCT-DG
NTHD2102PT1GOSCT
NTHD2102PT1GOS-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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