Número do Produto do Fabricante:
NTH4LN095N65S3H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTH4LN095N65S3H-DG
Descrição:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
12950505
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NTH4LN095N65S3H Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
SuperFET® III
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 2.8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2833 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTH4LN095N65S3H
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFH60N65X2-4
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
33
NÚMERO DA PEÇA
IXFH60N65X2-4-DG
PREÇO UNITÁRIO
7.36
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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