NTH4LN019N65S3H
Número do Produto do Fabricante:

NTH4LN019N65S3H

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTH4LN019N65S3H-DG

Descrição:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventário:

RFQ Online
12950494
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NTH4LN019N65S3H Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
SuperFET® III
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.3mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 14.3mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
282 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15993 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
NTH4LN019N65S3H

Informação Adicional

Outros nomes
488-NTH4LN019N65S3H
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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