Número do Produto do Fabricante:
NTH4L040N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTH4L040N120SC1-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventário:
234 Pcs Novo Original Em Estoque
12938497
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
NTH4L040N120SC1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1762 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
319W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
NTH4L040
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTMFS0D8N02P1ET1G
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
IRFC120NB
MOSFET 100V 9.4A DIE
PMPB85ENEA115
N-CHANNEL POWER MOSFET
