Número do Produto do Fabricante:
NTH4L027N65S3F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTH4L027N65S3F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventário:
12930490
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NTH4L027N65S3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® III
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27.4mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 3mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
259 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7690 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
595W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
NTH4L027
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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