Número do Produto do Fabricante:
NTGD4167CT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTGD4167CT1G-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
928248 Pcs Novo Original Em Estoque
12857549
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NTGD4167CT1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
295pF @ 15V
Potência - Máx.
900mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Número do produto base
NTGD4167
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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