Número do Produto do Fabricante:
NTD4979N-35G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTD4979N-35G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
12842753
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NTD4979N-35G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
837 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
NTD4979
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSNTD4979N-35G
2156-NTD4979N-35G-OS
2832-NTD4979N-35G
2832-NTD4979N-35G-488
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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