Número do Produto do Fabricante:
NTD4815N-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTD4815N-1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
12859555
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NTD4815N-1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.9A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
770 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
NTD48
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-NTD4815N-1G-ON
ONSONSNTD4815N-1G
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD135N03LGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
31780
NÚMERO DA PEÇA
IPD135N03LGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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