NTD4809NH-35G

Número do Produto do Fabricante:

NTD4809NH-35G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTD4809NH-35G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak

Inventário:

RFQ Online

12858933

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

NTD4809NH-35G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2155 pF @ 12 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

I-PAK

Pacote / Estojo

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Número do produto base

NTD48

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

NTD4809NH-35G-DG

Informação Adicional

Outros nomes

=NTD4809NH

2156-NTD4809NH-35G-ON

ONSONSNTD4809NH-35G

Pacote padrão

75

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

NVD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

renesas-electronics-america

NP160N04TUJ-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

onsemi

SFW9530TM

MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK

onsemi

NTMS4840NR2G

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC