NTD4809N-1G

Número do Produto do Fabricante:

NTD4809N-1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTD4809N-1G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventário:

RFQ Online

12858581

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NTD4809N-1G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1456 pF @ 12 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1.4W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

I-PAK

Pacote / Estojo

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número do produto base

NTD48

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

ONSONSNTD4809N-1G

2156-NTD4809N-1G-ON

Pacote padrão

75

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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