Número do Produto do Fabricante:
NTD3808N-35G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTD3808N-35G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 16 V 12A (Ta), 76A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
12848723
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NTD3808N-35G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
16 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 76A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1660 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
NTD38
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-NTD3808N-35G-ON
ONSONSNTD3808N-35G
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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