NTD3055L170-1G
Número do Produto do Fabricante:

NTD3055L170-1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTD3055L170-1G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Through Hole I-PAK

Inventário:

12858682
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NTD3055L170-1G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
NTD30

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
=NTD3055L170
2156-NTD3055L170-1G-ON
ONSONSNTD3055L170-1G
Pacote padrão
75

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
NTD3055L104T4G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
NTD3055L104T4G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.35
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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