Número do Produto do Fabricante:
NTBLS1D7N10MCTXG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTBLS1D7N10MCTXG-DG
Descrição:
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 29A (Ta), 272A (Tc) 3.4W (Ta), 295W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventário:
13256018
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
NTBLS1D7N10MCTXG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Ta), 272A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 698µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9200 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.4W (Ta), 295W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HPSOF
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTBLS1D7N10MCTXGDKR
488-NTBLS1D7N10MCTXGCT
488-NTBLS1D7N10MCTXGTR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTHL030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
