Número do Produto do Fabricante:
NTBGS1D5N06C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NTBGS1D5N06C-DG
Descrição:
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
300 Pcs Novo Original Em Estoque
12988626
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NTBGS1D5N06C Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 318µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6250 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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