NSBC115EPDXV6T1G
Número do Produto do Fabricante:

NSBC115EPDXV6T1G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NSBC115EPDXV6T1G-DG

Descrição:

SS SOT563 RSTR XSTR TR
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563

Inventário:

12843253
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NSBC115EPDXV6T1G Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
100kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
100kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
-
Potência - Máx.
357mW
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-563
Número do produto base
NSBC115

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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