Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Portugal
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Portugal
Trocar:
Inglês
Europa
Reino Unido
França
Espanha
Turquia
Moldávia
Lituânia
Noruega
Alemanha
Portugal
Eslováquia
Itália
Finlândia
Russo
Bulgária
Dinamarca
Estônia
Polônia
Ucrânia
Eslovênia
Tcheco
Grego
Croácia
Israel
Sérvia e Montenegro
Belarus
Países Baixos
Suécia
Montenegro
Basco
Islândia
Bósnia
Húngaro
Romênia
Áustria
Bélgica
Irlanda
Ásia / Pacífico
China
Vietname
Indonésia
Tailândia
Laos
Filipinas
Malásia
Coréia
Japão
Hongkong
Taiwan
Cingapura
Paquistão
Arábia Saudita
Catar
Kuaite
Camboja
Myanmar
África, Índia e Oriente Médio
Emirados Árabes Unidos
Tajiquistão
Madagáscar
Índia
Irã
República Democrática do Congo
África do Sul
Egito
Quênia
Tanzânia
Gana
Senegal
Marrocos
Tunísia
América do Sul / Oceania
Nova Zelândia
Angola
Brasil
Moçambique
Peru
Colômbia
Chile
Venezuela
Equador
Bolívia
Uruguai
Argentina
Paraguai
Austrália
América do Norte
Estados Unidos
Haiti
Canadá
Costa Rica
México
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
NDT02N60ZT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NDT02N60ZT1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventário:
RFQ Online
12840723
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
NDT02N60ZT1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223 (TO-261)
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
NDT02
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STN1HNK60
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
45248
NÚMERO DA PEÇA
STN1HNK60-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTNS3A91PZT5G
MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA
NTD4960N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
NTMFS4823NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN