Número do Produto do Fabricante:
NDD03N50Z-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NDD03N50Z-1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 58W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
12855742
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NDD03N50Z-1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 1.15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
274 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
58W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
NDD03
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NDD03N50Z-1G-DG
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
2156-NDD03N50Z-1G-ON
ONSONSNDD03N50Z-1G
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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