Número do Produto do Fabricante:
NDD01N60-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
NDD01N60-1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventário:
12843300
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NDD01N60-1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
46W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
NDD01
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-NDD01N60-1G-ON
ONSONSNDD01N60-1G
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TSM1NB60CH C5G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
TSM1NB60CH C5G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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