Número do Produto do Fabricante:
MJD31C1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
MJD31C1G-DG
Descrição:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK
Inventário:
12854350
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MJD31C1G Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
3 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
50µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Potência - Máx.
1.56 W
Frequência - Transição
3MHz
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Número do produto base
MJD31
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
MJD31CT4G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2090
NÚMERO DA PEÇA
MJD31CT4G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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