Número do Produto do Fabricante:
HUF76629D3ST-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76629D3ST-F085-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12836944
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HUF76629D3ST-F085 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1280 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
HUF76
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
HUF76629D3ST_F085-DG
HUF76629D3ST_F085CT
HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085DKR
HUF76629D3ST_F085DKR-DG
HUF76629D3ST-F085CT
HUF76629D3ST_F085TR-DG
HUF76629D3ST-F085DKR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085CT-DG
HUF76629D3ST_F085TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD15NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2040
NÚMERO DA PEÇA
STD15NF10T4-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.48
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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