Número do Produto do Fabricante:
HUF76629D3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76629D3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
12851449
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HUF76629D3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
HUF76
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
1,800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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