Número do Produto do Fabricante:
HUF76619D3ST
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76619D3ST-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12847898
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HUF76619D3ST Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
767 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
HUF76
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPD78CN10NGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14157
NÚMERO DA PEÇA
IPD78CN10NGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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NÚMERO DA PEÇA
DMN10H100SK3-13
FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
4328
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
0.23
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
68370
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PREÇO UNITÁRIO
0.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FDD3690-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.79
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