Número do Produto do Fabricante:
HUF76609D3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF76609D3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
12930580
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HUF76609D3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
425 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
49W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
HUF76
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRLU120NPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9600
NÚMERO DA PEÇA
IRLU120NPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.30
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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