Número do Produto do Fabricante:
HUF75639S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF75639S3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
800 Pcs Novo Original Em Estoque
12851335
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HUF75639S3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
UltraFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
HUF75639
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2832-HUF75639S3-488
2832-HUF75639S3
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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