Número do Produto do Fabricante:
HUF75329G3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF75329G3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12839254
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HUF75329G3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
UltraFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
HUF75
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
150
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTH80N075L2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
226
NÚMERO DA PEÇA
IXTH80N075L2-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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